En la placa de algún dispositivo N, el transistor IRF4905 se quemó, tanto que se agrietó, por lo que fue posible observar su estructura interna.
Características del IRF4905 según la documentación: Transistor de efecto de campo de canal P. Corriente continua a 20 C - 74 A, corriente pulsante hasta 260 A. Resistencia en estado encendido - 0.02 Ohm. La tecnología HEXFET logra una baja resistencia, cuya esencia es que un transistor de efecto de campo no es un transistor, sino muchos (cientos de miles) de pequeños transistores de efecto de campo conectados en paralelo.
La disipación de potencia máxima del transistor es de 200 W. Como prueba de indicadores tan buenos: una textolita quemada y un transistor agrietado (sostenido hasta el final).
El cristal en sí tiene un área de 24 mm2. Espesor del cristal 0,3 mm. Soldado en eutéctico.
La soldadura se realiza con alambre de aluminio. Se ve una floración amarillenta en él: se trata de depósitos de carbono. El electrodo de control tiene un diámetro de aproximadamente 50 μm y tres alambres gruesos con un diámetro de 0,5 mm cada uno. El alambre grueso muestra un rastro de la herramienta de soldadura.
Esquemáticamente, la tecnología HEXFET de International Rectifier se ve así:
Según la documentación, el transistor IRF4905 se implementa en la quinta generación de tecnología HEXFET.
Las fotos se pueden abrir en una nueva ventana y ver con más detalle. Con cada foto, te acercas a comprender la escala de la inmersión.
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Así es como se ve la topología superior de la matriz FET.
Traté de purgar la capa superior de metalización con persulfato de amonio. Resultó estar sucio, pero se hicieron visibles contornos claros de una forma hexagonal. Las dimensiones aproximadas de los hexágonos son 5-7 micrones (esto es 5000-7000 nm).
Gracias por su atención.