El pasado 13 de agosto (es decir, ayer, y teniendo en cuenta la diferencia horaria casi hoy) Intel Architecture Day 2020, como en años anteriores, la dirección de la empresa anunció sus principales logros y prioridades para el futuro cercano. Nos gustaría compartir en persecución lo más interesante que escuchamos en el evento. En este post, las novedades más importantes sobre la tecnología del procesador SuperFin de 10nm.
Después de años de mejorar los transistores FinFET, Intel está realizando una serie de cambios dentro del nodo que tienen un impacto en el rendimiento comparable a la transición a una tecnología de proceso más fina. La tecnología, denominada SuperFin de 10 nm, combina los FinFET de última generación con condensadores Super MIM (metal aislante metálico).
Los beneficios de SuperFin incluyen un sumidero / fuente epitaxial mejorado, tecnología de obturador mejorada y un paso de obturador adicional para proporcionar un mayor rendimiento al:
- mejorar el crecimiento epitaxial de las estructuras cristalinas en el drenaje y la fuente, aumentando los voltajes y disminuyendo la resistencia para que pase más corriente a través del canal;
- mejoras en la puerta para proporcionar más movilidad de canal, lo que permite que el portador de carga se mueva más rápidamente
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- 30% ;
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En términos de densidad celular y rendimiento, la tecnología SuperFin de 10 nm es aproximadamente equivalente a las tecnologías actuales de 7 nm. Durante el próximo año, se mejorará aún más: el resultado se llamará Enhanced SuperFin.
El próximo procesador móvil de Intel (con nombre en código Tiger Lake), que comenzará a enviarse a los fabricantes para el año nuevo, se basa en la tecnología SuperFin de 10 nm. Se decidió reemplazar completamente el nombre de la tecnología de proceso 10nm ++ con 10nm SuperFin en todos los productos, no se utilizarán más ventajas.
Las noticias con Intel Architecture Day 2020 no terminan ahí. Continuará.